因为CMOS传输过程中是通过栅极连接的，MOS管Gate端绝缘，电流接近0，Ri = Ui / ig = 无穷大。电压在传输过程中不取电流值，所以在静态过程中（处于0或1状态）是几乎没有功耗的。
但是为了让芯片能够实现高频动作，会通过掺杂工艺降低管子的导通阈值，降低管子的传输延时，从而实现高速翻转。但是使用低阈值管（Lvt）会导致芯片在Standby待机状态时，管子不能完全截止，产生漏电流，带来不小的静态功耗。P漏 = I_leak * Vdd
后端在综合时按照时序约束，会在难以收束路径上使用低阈值管，但是增加了面积和功耗。
现在由于芯片频率的要求越来越高，芯片规模越来越大，静态功耗所占总功耗的比例也越来越大。
CMOS的主要功耗来自于动态功耗，即在0，1跳变过程中，处于1/2vdd位置的尖峰电流带来的导通功耗。
导通功耗
导通功耗是电流对时间的积分。导通功耗 Pt = Cpd f Vdd²
f是电路频率，即表示尖峰电流的个数。